Будьте всегда в курсе!
Узнавайте о скидках и акциях первым
Новости
Все новости
MOSFET транзисторы SemiHow
6 ноября 2018
Корейский производитель полупроводниковых приборов SEMIHOW представляет на Российском рынке линейку Полевых Транзисторов(MOSFET) для увеличения эффективности работы оборудования и обеспечение высоких удельных показателей по току и передаваемой мощности . Транзисторы сочетают в себе низкое удельное сопротивление в открытом состоянии, увеличенное быстродействие, высокую стойкость к лавинному пробою и широкий выбор диапазона по рабочему току от 1 до 50 А и по напряжению от 60 до 900 В. Применение таких транзисторов подходит для производства импульсных AC-DC источниках питания небольшой мощности, сварочных аппаратов, в зарядных устройствах, в блоках аварийного питания (UPS), электронных балластах люминесцентных и LED ламп и прочего применения где требуется качественные и надежные показатели работоспособности оборудования с применением MOSFET транзисторов.
Характеристики продукции MOSFET SEMIHOW:
Пример использования транзисторов в электронном балласте люминесцентной лампы:
Характеристики продукции MOSFET SEMIHOW:
- Напряжение сток-исток V(dss) от 60~900 В
- Непрерывный ток нагрузки I(d) от 1~50 А
- Низкое сопротивление открытого канала R(ds)
- Улучшенное быстродействие
- Высокая стойкость к лавинному пробою
- Конкурентная низкая цена
- Отвечает требованиям директивы RoHS
Пример использования транзисторов в электронном балласте люминесцентной лампы:
НАИМЕНОВАНИЕ | VDSS, В | КОРПУС | RDS(ON) ТИП., ОМ | ТОК ID 25°C, A | ТОК ID 100°C, A | QG, НКЛ | |
T1 |
HFP830 |
500 |
TO220 |
1.5 | 4.5 | 2.9 | 18 |
HFP9N50 | 0.73 | 9 | 5.7 | 35 | |||
HFP13N50S | 0.39 | 13 | 8 | 38 | |||
HFP18N50U | 0.22 | 18 | 11.4 | 58 | |||
HFP7N60 |
600 |
0.96 | 7 | 4.4 | 30 | ||
HFP10N60 | 0.64 | 9.5 | 6.03 | 44 | |||
T2 |
HFP730 |
400 |
0.8 | 5.5 | 3.5 | 18 | |
HFP830 |
500 |
1.2 | 4.5 | 2.9 | 18 | ||
HFP13N50 | 0.39 | 13 | 8 | 38 | |||
HFP7N60 |
600 |
0.96 | 7 | 4.4 | 30 |